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沟道耐压电流效应
FDD13AN06A0-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道耐压:60V 电流:60A T
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分立半导体正品 FDD13AN06A0
正品 FDD13AN06A0 分立半导体║MOSFET N-CH 60V 9.9A/5
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